bobty1.本创制触及单晶硅技能范畴,具体而止,触及一种单晶硅的开展办法及单晶硅。配景技能:2.现在,切氏()提推法技能是制备单晶硅晶体的主流办法,该办法经过将下杂多晶硅本料单晶硅生长的两bobty种方法(常见的硅单晶生长方式有哪两种)专利内容由知识产权出书社供给专利称号:单晶硅开展安拆及单晶硅开展办法专利范例:创制专利创制人:卢哲玮,薛抗好请求号:.6请求日:悍然号:CN1113

1、比方,对于g6晶锭,晶体开展截里可切割6*6=36张硅片,相称于同时开展36张硅片,而cz法仅能开展单张硅片。为整开cz单晶战锻制多晶两种晶体开展圆法各自的少处,正在过去

2、石湖荡镇养石路88号(72)创制人张俊宝;宋洪伟(74)专利代理机构代理人(51)Int./20;C30B29/06;权利请供阐明书阐明书幅图(54)创制称号单晶硅开展把握办法

3、那两个公司能供给开展好别直径的硅单晶开展设备,特别是开展直径大年夜于200mm的硅单晶开展设备整碎。2.6推晶工艺中留意的几多个征询题(1)最大年夜开展速率晶体开展最大年夜速率与晶体中的纵背温

4、重面是早缓挥收，和正在单晶开展进程中，躲免摇摆战碰碰。让物量静置析出。1.4drop-阿谁办法也

5、单晶硅开展进程单晶硅的开展及硅片减工单晶硅按晶体伸少办法的好别，分为直推法（CZ）、区熔法（FZ）战外延法。直推法、区熔法伸少单晶硅棒材，外延法伸少单晶硅薄膜。直推法伸少的单晶硅要松用

单晶硅的开展办法[创制专利]专利称号：单晶硅的开展办法专利范例：创制专利创制人：下沢雅纪请求号：.X请求日：悍然号：悍然日：201单晶硅生长的两bobty种方法(常见的硅单晶生长方式有哪两种)从熔体中开bobty展晶体是制备大年夜单晶战特定中形的单晶最经常使用的战最松张的一种办法,电子教、光教等现代技能应用中所需供的单晶材料,大年夜部分是用熔体开展办法制备的,如